PRB超聲波相控陣試塊NB/T47013.15-2021標(biāo)準(zhǔn)
簡(jiǎn)要描述:丹東征程無損檢測(cè)設(shè)備有限公司是一家專業(yè)生產(chǎn)和研發(fā)無損檢測(cè)器材的企業(yè),公司自成立以來不斷創(chuàng)新發(fā)展,擁有專業(yè)的技術(shù)從業(yè)人員,為適應(yīng)市場(chǎng)需求,大力開發(fā)市場(chǎng)所需產(chǎn)品,目前我廠產(chǎn)品已大量投入到市場(chǎng)中,再過去的幾年里,我們始終為客戶提供好的產(chǎn)品、良好的技術(shù)支持、健全的售后服務(wù)。產(chǎn)生了良好的社會(huì)效益。我廠主要生產(chǎn)射線機(jī)、超聲波試塊、磁粉試塊、暗袋、像質(zhì)計(jì)等PRB超聲波相控陣試塊NB/T47013.15-202
- 產(chǎn)品型號(hào):PRB-1 PRB-2 PRB-3 PRB-4
- 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
- 更新時(shí)間:2022-07-19
- 訪 問 量:1376
PRB超聲波相控陣試塊NB/T47013.15-2021標(biāo)準(zhǔn)
一、PRB系列試塊:使用與I型在制和在用金屬材料制承壓設(shè)備焊接接頭相控陣超聲檢測(cè),當(dāng)試塊滿足檢測(cè)需求時(shí),也可采用NB/T47013.3所述的CSK-IIA系列試塊,使用范圍按NB/T47013.3的規(guī)定執(zhí)行,不適用于內(nèi)徑不大于200mm的管座角接頭檢測(cè)。
PRB-I 對(duì)接的焊接接頭的厚度范圍 6-30
PRB-II 對(duì)接的焊接接頭的厚度范圍 30-120
PRB-III 對(duì)接的焊接接頭的厚度范圍 120-150
PRB-IV 對(duì)接的焊接接頭的厚度范圍 150-200
二、技術(shù)特征:
1.一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊,其特征在于,該試塊包括試塊基體(1)、吸聲材料(3)和多個(gè)橫通孔;其中,多個(gè)橫通孔水平貫穿試塊基體,多個(gè)橫通孔沿試塊基體的橫向間隔設(shè)置,并且多個(gè)橫通孔(2)的高度均布相同,吸聲材料(3)設(shè)置在試塊基體(1)的拐角處。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊,其特征在于,所述試塊基體(1)的材質(zhì)和上下表面的粗糙度與待檢測(cè)工件一致。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊,其特征在于,所述橫通孔的高度按照等差數(shù)列依次排布。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊,其特征在于,相鄰兩個(gè)橫通孔之間的橫向間距為
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊,其特征在于,所述試塊基體為矩形,吸聲材料(3)呈l型,設(shè)置在試塊基體的底部的兩個(gè)直角位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊,其特征在于,所述吸聲材料(3)靠近試塊基體的一側(cè)設(shè)置有消聲槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊,其特征在于,所述消聲槽為設(shè)置在吸聲材料側(cè)壁上的鋸齒槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊,其特征在于,所述吸聲材料(3)與試塊基體的聲阻抗相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊,其特征在于,所述試塊基體上設(shè)置有用于表示每個(gè)橫通孔高度、折射角極小值和和折射角極大值的刻度標(biāo)識(shí)。
10.一種權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊的校準(zhǔn)方法,其特征在于,將相控陣超聲(5)耦合在試塊基體的上表面,并橫向移動(dòng)找到距離試塊基體的上表面最小的橫通孔(2)在相控陣超聲(5)最小折射角下的最高回波,然后根據(jù)該橫通孔的刻度標(biāo)識(shí)作為輔助快速找到其最高回波;然后根據(jù)上述方法依次掃查不同高度的橫通孔(2),實(shí)現(xiàn)了一次耦合獲得不同高度橫通孔及其對(duì)應(yīng)的不同角度相控陣超聲折射角的測(cè)定。
三、技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種相控陣超聲校準(zhǔn)試塊及校準(zhǔn)方法,該試塊包括試塊基體、橫通孔、吸聲材料、刻度。其中試塊基體正面為矩形,橫通孔垂直于試塊基體正面,吸聲材料設(shè)置在試塊基體的左下角和右上角,刻度在試塊基體的上表面和下表面。本發(fā)明通過將不同深度的橫通孔在橫向錯(cuò)開設(shè)置,實(shí)現(xiàn)了在一次耦合中、沿著試塊上表面或下表面橫向掃查便可獲得不同深度、不同折射角的相控陣超聲的橫通孔回波,實(shí)現(xiàn)了TCG的有效校準(zhǔn),減少了測(cè)量時(shí)間,精簡(jiǎn)了校準(zhǔn)程序;通過在左下角和右上角設(shè)置吸聲材料和消聲槽,大大降低了試塊的端角反射回波,使得即使橫通孔離試塊端角較近,端角回波也不會(huì)對(duì)橫通孔回波造成嚴(yán)重干擾;通過在試塊上表面設(shè)置刻度,實(shí)現(xiàn)了不同深度橫通孔及其對(duì)應(yīng)的不同角度相控陣超聲折射角的探頭耦合位置的快速準(zhǔn)確確定。陣超聲折射角的探頭耦合位置的快速準(zhǔn)確確定。陣超聲折射角的探頭耦合位置的快速準(zhǔn)確確定。RB超聲波相控陣試塊NB/T47013.15-2021標(biāo)準(zhǔn)